فناوری پاشش اولتراسونیک برای پوشش های سلول خورشیدی

از فناوری پاشش اولتراسونیک برای سیلیکون کریستالی فتوولتائیک (C-SI) و برنامه های فیلم نازک استفاده می شود. در مقایسه با رسوب بخار شیمیایی (CVD) ، لکه دار شدن ، پوشش چرخش ، پوشش رول و روشهای پوشش مه ، فناوری پاشش اولتراسونیک می تواند یک روش مقرون به صرفه تر برای رسوب پوشش پوشش های فیلم نازک بر روی سلولهای خورشیدی باشد. با توجه به یکنواختی بالای قطرات اتم شده و سرعت کم آنها در طی فرآیند پوشش ، می توان لایه های ضخیم میکرومتر بسیار یکنواخت را روی سلولهای خورشیدی C-SI و نازک تشکیل داد. فواید اضافی کاهش زباله یا بیش از حد نیز می تواند مواد را به میزان قابل توجهی ذخیره کند.

از فناوری پاشش اولتراسونیک برای مواد شیمیایی زیر استفاده می شود:

عوامل دوپینگ ، جاذب ، عوامل بافر ، ترکیبات آلی و غیره

اسید دوپانت
جاذب کلرید کادمیوم (CDTE)
سولفید کادمیوم (CDS) - لایه بافر برای باتری های CIGS و CDTE
مس سلنید گالیوم ایندیم (CIGS یا CIS) جاذب
سولفید قلع روی مس (CZTS) جاذب
سلولهای خورشیدی آلی حساس رنگ (DSC ، DSSC یا DySC)
p3ht
پودر
پی سی بی ام
دوپانتهای مبتنی بر فسفات در شکل گیری امیتر

نقاط کوانتومی (QD)

از اسپری اولتراسونیک با موفقیت برای اسپری نقاط مختلف کوانتومی استفاده شده است. فیلم های نازک ZnO و نقاط کوانتومی CDS با استفاده از فناوری رسوب پیرولیز اسپری اولتراسونیک تهیه شده اند و هزینه تنها بخش کوچکی از روشهای CVD و لکه دار است.

اکسید رسانا شفاف (TCO)

دی اکسید قلع (SNO2)
اکسید قلع ایندیم (ITO)
اکسید روی (ZNO) به عنوان نانوسیم در برنامه های DSC
نانولوله های کربن (CNT)
نانوسیم های نقره ای (AGNW)
گرافن

پوشش ضد بازتابنده (AR)

دی اکسید سیلیکون
تایتانیا